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NP32N055HHE, NP32N055IHE, NP32N055SHE
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-251 (JEITA) / MP-3
2) TO-252 (JEITA) / MP-3Z
6.5 ± 0.2
5.0 ± 0.2
2.3 ± 0.2
0.5 ± 0.1
6.5 ± 0.2
5.0 ± 0.2
2.3 ± 0.2
0.5 ± 0.1
4
4
1
2
3
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
1
2
3
0.9 MAX.
0.8 MAX.
2.3 TYP.
? 0.1
0.5 + 0.2
2.3 TYP.
? 0.1
0.5 + 0.2
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
2.3 TYP.
2.3 TYP.
0.8 TYP.
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
3) TO-252 (JEDEC) / MP-3ZK
6.5 ± 0.2
5.1 TYP.
2.3 ± 0.1
0.5 ± 0.1
4
4.3 MIN.
No Plating
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
1
2
3
No Plating
Gate
Body
Diode
1.14 MAX.
2.3
2.3
0.76 ± 0.12
1. Gate
2. Drain
1.0
0 to 0.25
0.5 ± 0.1
Gate
Protection
Diode
Source
3. Source
4. Fin (Drain)
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When
this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated
voltage may be applied to this device.
6
Data Sheet D14155EJ4V0DS
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NP32N055SLE-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP32N055SLE-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP32N055SLE-E1-AZ_NEC 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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NP33-12 制造商:EnerSys 功能描述:Battery; Sealed Lead Acid; 12 V; 33 Ah; Receptacle Termination; Rechargeable
NP33-12B 制造商:EnerSys 功能描述:LEAD ACID BATTERY, 12V, 33AH; Battery Size Code:-; Battery Capacity:33Ah; Battery Voltage:12V; Battery Technology:Lead Acid; External Height:158mm; External Width:131mm; External Depth:197mm; Weight:10.9kg; Battery Terminals:Bolt ;RoHS Compliant: NA
NP33-12FR 制造商:EnerSys 功能描述:12 volt 33Ah SLA Flame Retardant Battery Receptacle Terminal
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